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    吉林華微電子: 自主研發砥礪行 助力打造“中國芯”

    編輯: 金婉來源: 經濟晚報2021-06-29 15:20:04

      櫛風沐雨五十余載,篳路藍縷砥礪前行。從初創時期的“一窮二白”到今天總資產近57.52億元、員工2100余人,吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱華微電子)歷經行業起伏,創造了輝煌的企業成就。

      “我們心里有一種責任感和使命感,就是我們做半導體的從業人員有這種民族的自信心、自尊心。我們心里都在默默地想一件事情,為員工、為員工背后的家庭創造更好的生活,為地方經濟發展作出更大的貢獻,為民族半導體產業的發展添磚加瓦?!比A微電子董事、首席執行官于勝東說。

    ?技術人員在吉林華微電子股份有限公司車間內開展研發工作(圖片由華微電子提供)

    篳路藍縷奮斗不息“雞窩里飛出金鳳凰”

      華微電子是一家以生產研發功率半導體器件及功率集成電路為核心業務的國家級高新技術企業,其前身是成立于1965年的吉林省吉林市半導體廠。至今,華微電子已經走過半個多世紀的風雨歷程。

      企業能有今天的經營狀態和成就,是幾代工程技術人員共同努力的結果?!闭劶皠摌I歷程,于勝東感慨萬千。

      時間回溯到20世紀60年代初,我國國防現代化建設突飛猛進,國家在全國范圍內布局建設了為國防產品配套的半導體產業。為填補吉林省晶體管生產的空白,1965年初,吉林市開始籌建半導體廠。

      吉林市半導體廠成立后,僅有的28名職工外出到北京等地學習硅整流二極管制造工藝。他們滿載委托和信任,開始了新的探索和追求。學習歸來的他們立即投入到緊張的建廠籌備和產品試制工作中。

      “當時,吉林市為了建半導體廠,把吉林市表廠遷走了,老樓沒有進行裝修。因為生產對潔凈度要求較高,我們就在兩個樓后面的一個澡堂子里成功試制出硅整流二極管?!被仡檮摌I之初的崢嶸歲月,華微電子黨委書記王桂蓮記憶猶新。

      硅整流二極管的成功試制填補了吉林省晶體管生產的空白。也就是從那時起,華微電子“澡堂子里鬧革命,雞窩里飛出金鳳凰”創業佳話流傳開來。

      王桂蓮回憶,盡管創業期的團隊里僅有5名共產黨員,但他們拼搏奉獻、身先士卒的模范帶頭精神感染了所有人,而且這份優良的傳統一直延續至今?!奥耦^苦干,不分晝夜,即使不吃飯、不睡覺也要把產品拿出來?!蓖豕鹕徴f。

      員工是企業的基本細胞,其活力的大小影響著企業的生命力。創業初期,東北地區建有十多家半導體廠,時至今日,只有華微電子在一無產業環境和市場優勢,二無資源優勢的條件下生存下來,并逐步發展壯大,是東北地區碩果僅存的整建制半導體企業。

      2001年3月16日,隨著上海證券交易所上市鐘聲的敲響,華微電子成功登陸上海證券交易所,成為國內功率半導體器件領域首家上市公司。

      在過往的56年中,華微電子初心不改砥礪奮進,伴隨黨和國家前進的步伐茁壯成長,專注功率半導體全產業鏈發展,不斷突破自我、開拓進取,承擔了多項國家半導體技改項目。

      如今,華微電子總資產近57.52億元、員工2100余人,被認定為國家博士后科研工作站、國家創新型企業、國家企業技術中心、CNAS國家認可實驗室,已成為全國最具影響力的半導體IDM企業之一、我國功率半導體器件行業中的領軍企業。

    獲專利技術百余項年均研發費超億元

      在“群雄逐鹿、大浪淘沙”的時代,華微電子如何拔得頭籌?長期以來對科研創新的持續投入是華微電子的底氣所在。

      創新是企業的核心,沒有創新,企業就失去了核心競爭力,企業的發展離不開創新的支撐。華微電子通過自主創新、產學研合作、引進消化吸收等多種形式使產品技術不斷升級迭代,以技術創新引領形成獨特的核心競爭力。

      “2007年,綠色照明用VDMOS場效應晶體管榮獲科技部評定的國家重點新產品稱號;2014年,1200V15A絕緣柵雙極型晶體管榮獲第八屆中國半導體創新產品和技術稱號;2015年,采用VLD終端設計的垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管,榮獲第九屆中國半導體創新產品和技術稱號……”談及企業榮譽,華微電子相關負責人如數家珍。

      近年來,華微電子通過積極引進先進技術與標準,廣泛開展產學研等技術交流與合作,建立技術研發與技術標準相結合的管理機制,注重先進技術的運用、消化和吸收,并逐步在FRD、IGBT、SBDVD-MOS等產品開發中推廣運用,公司的技術實力也得到顯著提高。其中,1350VTrenchIG-BT項目成功攻克深槽刻蝕與填充、高均勻性多晶回刻與刻蝕工藝、Ti/Tin淀積與RTP退火工藝等難題。TrenchIG-BT工藝平臺的開發成功,讓華微電子在功率器件研制開發方面的表現更為全面。

      此外,在新能源汽車雙面散熱模塊,華微電子實現功率模塊雙面散熱超薄結構,縮小模塊體積,提高模塊功率密度和效率,降低功率損耗,適應未來電控系統輕量化要求,產品技術將達到同等國際標桿水平。同時,公司開發高壓3300V~4500V的IGBT和FRD產品,實現超高壓大功率器件的國產化。

      一項項產品技術創新的背后,離不開“大手筆”投入。華微電子相關負責人表示,企業重視研發創新,目前年均研發費用投資過億元,研發支出占銷售額的6%。

      “公司目前共有專利百余項,廣泛應用于各系列產品設計開發及生產中,產品的部分性能已經優于國外公司的同類產品,達到了國內領先水平?!比A微電子相關人員表示。

    加速半導體國產化“領頭羊”勇擔大任

      功率半導體器件在電力電子行業有著非常廣泛的應用,是電子產品的基礎元器件之一。隨著科技快速發展,功率半導體器件應用領域正在從傳統的工業領域快速擴展至新能源、大數據、物聯網、智能電網、智能機器人、軌道交通等戰略性新興領域。

      然而,由于功率半導體在我國起步較晚,在核心技術上較國外有較大差距,在關鍵技術上國外設置壁壘,在關鍵制造設備及原材料上,同樣依賴進口?!拔覈β拾雽w市場呈現供需嚴重不匹配的格局?!比A微電子相關負責人介紹說,從供給端來看,全球功率半導體的主要產地集中在歐洲、美國、日本,這些產地的廠家擁有先進的技術和良好的生產條件,是中大功率IGBT和中高壓MOSFET的主要制造商,占據全球功率半導體70%的市場份額。而我國廠商以二極管、中低壓MOS-FET、中小功率IGBT等中低端功率半導體產品為主,占據全球10%的市場份額。從需求端來看,我國是全球最大的功率半導體消費國。我國功率半導體市場空間占全球比例為49%,居第一位,歐洲居第二位,占比18%,美國占比8%,日本占比6%,其他地區占比19%。

      受資金及技術水平等方面的限制,我國絕大多數廠商只在二極管、三極管、晶閘管、平面MOS-FET器件等相對低端器件的生產工藝方面較為成熟。對于IGBT等高端功率半導體器件,國內只有極少數廠商擁有生產和封裝能力,國內銷售的高端功率半導體器件產品仍然被美國、歐洲、日本等廠商所主導,在高端功率半導體領域尚未形成規模效應與集群效應的情況下,國際廠商仍占據我國高附加值功率半導體市場的絕對優勢地位。

      尤其是近年來,新能源、5G等戰略性新興領域迅猛發展,為行業帶來了前所未有的機遇,釋放出廣闊的市場空間與前景。加上國際貿易及新冠肺炎疫情的雙重影響,科技安全、自主可控與國產化替代需求迫切,我國功率半導體產業戰略地位尤為突出。

      在此形勢下,作為行業頭部企業的華微電子如何應對?記者了解到,華微電子實施以“產品結構、市場結構、客戶結構”三項結構調整為主導的發展戰略,通過新產品、新領域重點項目指標的達成帶動公司經營業績跨越式增長,推動半導體產業轉型升級,逐漸成為國家新基建、智能綠色發展的核心支撐力量。

      ——調整產品結構,打造企業競爭優勢。華微電子抓住國家節能減排等發展機遇,明確以IGBT、低壓MOS、超結MOS、TrenchSBD等新型功率半導體器件為主線的發展定位,實現產品向高端領域發展;以新興市場需求定位新產品系列,釋放企業巨大發展空間;積極布局面向新基建的碳化硅、氮化鎵寬禁帶半導體,以技術迭代創造企業發展新動能。

      ——調整市場結構,釋放新興市場增長潛力。華微電子開拓戰略性新興領域,快速向新能源汽車、光伏、變頻等戰略性新興領域轉變;海外市場加大新領域開拓力度,擴大品牌影響力;拓寬銷售平臺,形成多渠道營銷模式;成立市場支持部,創新引領、引領創新,打造市場競爭優勢,著力推動低壓MOS、COOLMOS等新產品銷售,促進企業業績快速提升。

      ——調整客戶結構,放大優質客戶效應。華微電子與優質大客戶開展全面深入合作,聚焦中高端客戶,與松下、日立、海信、創維、長虹等大品牌建立合作,推進企業快速可持續發展。

      華微電子相關負責人介紹,未來公司將從外延、芯片、封裝、應用推廣四個方面建立專班化推進機制,垂直打通半導體產業鏈,實現產業結構優化和規模倍增,打造百億元量級年產值、具有國際競爭力的功率半導體產業集群,建立推動經濟快速發展的技術高地和人才高地,成為吉林省向全國乃至世界展示高技術產業發展成果的名片。